Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

総合得点

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston HX318C10FK/4 4GB

考慮すべき理由
Kingston HX318C10FK/4 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

26 69

周辺 -165% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.7 6.1

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.0 4.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 14900

周辺 1.43 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

69 26
読み出し速度、GB/s

6.1 17.7
書き込み速度、GB/秒

4.1 14.0
メモリ帯域幅、mbps

14900 21300

Other

商品説明

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

9-10-9-28 / 1866 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1116 3017

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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