Comparación de la memoria RAM Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Puntuación global

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.7 12.8

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 10600

En 1.21% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

26 42

En -62% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.3 8.1

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2173 2186

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns