RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
3211
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link