RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3211
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link