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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
43
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
28
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
3211
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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