RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3573
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link