RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3731
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link