RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
40
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
40
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2972
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link