RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
58
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
54
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2938
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link