RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2451
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link