RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
62
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,658.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,216.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,658.4
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
688
3318
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link