RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
49
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2374
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link