RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3637
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link