RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
51
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2570
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link