RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
42
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2822
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link