RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
42
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2822
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link