RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
87
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3208
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link