RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3208
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link