RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
15
33
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
15
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
23.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
21.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
4039
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link