RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
15
33
Por volta de -120% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
23
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
21.0
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
15
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
23.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
21.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
4039
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link