RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
87
Por volta de -172% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
14.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3208
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link