RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
37
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2732
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link