RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
37
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2732
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link