RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
20.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3649
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link