Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

総合得点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

総合得点

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

考慮すべき理由
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

31 43

周辺 -39% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

20.5 14.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

15.5 9.6

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 12800

周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

43 31
読み出し速度、GB/s

14.9 20.5
書き込み速度、GB/秒

9.6 15.5
メモリ帯域幅、mbps

12800 25600

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2506 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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