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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
14.9
20.5
写入速度,GB/s
9.6
15.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3649
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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