RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
63
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.9
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
19.9
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3779
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Mushkin 996902 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link