RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3238
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link