RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
37
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3314
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link