RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3241
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link