RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
55
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
55
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2701
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link