RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3017
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link