RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3757
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link