RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
59
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3114
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link