Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Средняя оценка

Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,123.3 12.3

Среднее значение в тестах

Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

Причины выбрать
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 59

Около -168% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 22
Скорость чтения, Гб/сек

4,833.8 17.3
Скорость записи, Гб/сек

2,123.3 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

731 3114

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB

Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB

Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB

Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

модули RAM