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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
59
左右 -168% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
22
读取速度,GB/s
4,833.8
17.3
写入速度,GB/s
2,123.3
12.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3114
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
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Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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