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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
83
左右 55% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.4
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
83
读取速度,GB/s
11.4
14.8
写入速度,GB/s
7.4
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1370
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
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