RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
37
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3204
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link