RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3568
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link