RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
92
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
43
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2250
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link