RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
92
Wokół strony -338% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2814
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link