RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
92
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3363
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link