RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
92
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
41
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2058
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link