RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
89
92
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
89
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1518
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link