RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
92
Wokół strony -179% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2702
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link