RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
92
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3545
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link