RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
92
Wokół strony -229% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3963
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link