RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
92
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
66
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1877
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology CT8G3S186DM.C16FN 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link