RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
92
Wokół strony -254% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3017
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link