RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs INTENSO 5641160 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
INTENSO 5641160 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO 5641160 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
92
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2613
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
INTENSO 5641160 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link